Saturday , October 23 2021

Advantages and disadvantages of epitaxy

Advantages and disadvantages of epitaxy

 

Question: Write down the Advantages and disadvantages of epitaxy?

or

Question: Why all interest in epitaxy/significance of epitaxy?

Solution:

Advantages of Epitaxy-

  1. Epitaxial growth is a standard processing technology in silicon device fabrication.
  2. Advanced epitaxial growth methods permit the fabrication of extraordinarily advanced electronic and photonic device structures.
  3. Epitaxy permits the fabrication of thin-film single-crystal materials that would be difficult or impossible to grow as bulk single crystals.
  4. The extreme thickness control of modern epitaxial growth methods allows the unusual and unique physical and chemical phenomenon to be studied.
  5. Silicon Epitaxy is done to improve the performance of bipolar devices.
  6. It allows a higher operating speed
  7. Epitaxy has also recently been used in CMOS VLSI circuits.
  8. Epitaxy also allows better control of doping concentrations of the devices. The layer can also be made oxygen-and carbon-tree.

 

Disadvantages of Epitaxy-

  1. Higher cost of wafer fabrication.
  2.  Additional process is needed which creates complexities.
  3. Problems associated with defects in the epi-layer.

 

Advantages and disadvantages of epitaxy

এপিট্যাক্সির সুবিধা এবং অসুবিধা

 

এপিট্যাক্সির উপকারিতা-

  1. এপিট্যাক্সিয়াল গ্রোথ সিলিকন ডিভাইস ফ্যাব্রিকেশন একটি মান প্রক্রিয়াকরণ প্রযুক্তি।
  2. উন্নত এপিট্যাক্সিয়াল গ্রোথ পদ্ধতি অসাধারণ উন্নত ইলেকট্রনিক এবং ফোটোনিক ডিভাইসের কাঠামো তৈরির অনুমতি দেয়।
  3. এপিট্যাক্সি পাতলা-ফিল্ম এর একক-স্ফটিক উপকরণ তৈরির অনুমতি দেয় যা একক বাল্ক স্ফটিক হিসাবে তৈরী করা কঠিন বা অসম্ভব হবে।
  4. আধুনিক এপিট্যাক্সিয়াল গ্রোথ পদ্ধতিতে নিপুন ভাবে পুরুত্ব নিয়ন্ত্রণ অস্বাভাবিক এবং অনন্য কাঠামোগত এবং রাসায়নিক ঘটনা অধ্যয়ন করার অনুমতি দেয়।
  5. বাইপোলার ডিভাইসের কর্মক্ষমতা উন্নত করতে সিলিকন এপিট্যাক্সি করা হয়।
  6. এটি উচ্চতর অপারেটিং গতির অনুমতি দেয়
  7. এপিট্যাক্সি সম্প্রতি CMOS VLSI সার্কিটেও ব্যবহৃত হয়েছে।
  8. এপিট্যাক্সি ডিভাইসের ডোপিং ঘনত্বের আরও ভাল নিয়ন্ত্রণের অনুমতি দেয়। স্তরটি অক্সিজেন-এবং কার্বন-ট্রিরও তৈরি করা যায়।

 

এপিট্যাক্সির অসুবিধা-

  1. ওয়েফার তৈরির খরচ বেশি।
  2. অতিরিক্ত প্রক্রিয়া প্রয়োজন যা জটিলতা তৈরি করে।
  3. এপি-লেয়ারে ত্রুটিগুলির সাথে সম্পর্কিত সমস্যাদেখা দেয়।

 

Read: What is epitaxial growth and epitaxy?

Check Also

Explain body effects in MOS transistor

Explain body effects in MOS transistor?

Explain body effects in MOS transistor?   body effects in MOS transistor Normally, we considered …