Saturday , October 23 2021

Effects of O2 and H2 addition on etching rate

Effects of O2 and H2 addition on etching rate

 

Question: How does the addition of O2 and H2effects in etching rate of  SiO

Solution:

Effects of O2 addition:

The addition of O2 to the plasma leads to the formation of COF2, CO, and CO2, which decreases the concentration of CFx thereby decreasing the CFx-F recombination rate. Thus, the concentration of F atoms increases with the addition of O2, and hence the etching rate increases.

Effects of H2 addition:

CFx + Si → C + SiFy

The reaction of C on the etching surface with F and/or H results in fluorocarbons and hydrocarbons, which polymerize on the Si surface, which reduces the etching rate. In case of SiO2, no polymerization occurs and in etching, H2 addition does not have a significant effect.

CFx + SiO2 → SiFy+ (CO, CO2)

 

Effects of O2 and H2 addition on etching rate

এচিং রেটে O2 এবং H2 সংযোজনের প্রভাব

 

O2 সংযোজনের প্রভাব:

প্লাজমাতে O2 যোগ করা COF2, CO এবং CO2 গঠনের দিকে পরিচালিত করে, যা CFx এর ঘনত্ব হ্রাস করে যার ফলে CFx-F পুনর্গঠনের হার হ্রাস পায়। এইভাবে, F পরমাণুর ঘনত্ব O2 যোগ করার সাথে সাথে বৃদ্ধি পায়, এবং সেইজন্য এচিং রেট বৃদ্ধি পায়।

 

H2 সংযোজনের প্রভাব:

CFx + Si → C + SiFy

F এবং/অথবা H এর সাথে এচিং পৃষ্ঠে C এর বিক্রিয়ায় ফ্লুরোকার্বন এবং হাইড্রোকার্বন, যা Si পৃষ্ঠে পলিমারাইজ করে, এবং এচিং হার হ্রাস করে। SiO2 এর ক্ষেত্রে, কোন পলিমারাইজেশন ঘটে না এবং এচিং এ, H2 সংযোজনের উল্লেখযোগ্য প্রভাব নেই।

CFx + SiO2 → SiFy+ (CO, CO2)

Check Also

Explain body effects in MOS transistor

Explain body effects in MOS transistor?

Explain body effects in MOS transistor?   body effects in MOS transistor Normally, we considered …