Saturday , October 23 2021

RCA cleaning process

Question: Explain the RCA cleaning process


RCA cleaning process

The RCA clean is a Front End of Line (FOEL) cleaning process. the aim of RCA clean is to get rid of organic contaminants from the wafer surface, then remove any oxide layer which will have built-ups, and eventually remove any ionic or heavy metal contaminants.

The first method uses an H2 S04 and strong oxidants [ usually H2O2 ] to decompose the resist into CO2 and H2O.

The second method uses oxygen plasma to convert resist to gaseous by-products [again CO2 and H2O].This reduces pollution problems utilized in the removal of photoresists in backend processes.

wafer clearing is typically accomplished either using immersion of cassettes of wafers into cleaning baths or through chemical sprays.

For the metal removal used standard cleaning 1 ( SC-1) and standard cleaning 2 (SC – 2).

The SC-1 solution is high PH solution consisting of water, hydrogen peroxide, and NH4OH, in which wafers are placed at 70 – 80°C for 10 minutes. Then the water is rinsed under running Deionized (DI) water to remove the solution.

In this process, it oxidizes the silicon and leaves a thin oxide on the surface of wafer, which should be removed if pure silicon is required.

The SC – 2  solution is a low -PH solution consisting of water, hydrogen peroxide(H2O2), and HCL.

It is designed to dissolve and take away alkali residues from the si surface Also it removes and residual trace metals [such as Au And Ag] also as metal hydroxides including.


RCA cleaning process

RCA পরিষ্কার করার প্রক্রিয়া


RCA ক্লিন হল ফ্রন্ট এন্ড অফ লাইন (ফয়েল) পরিষ্কার করার প্রক্রিয়া। RCA পরিষ্কারের উদ্দেশ্য হল ওয়েফার পৃষ্ঠ থেকে জৈব দূষকগুলি অপসারণ করা, তারপর বিল্ট-আপ হতে পারে এমন কোনও অক্সাইড স্তর অপসারণ করা এবং অবশেষে যে কোনও দূষণকারী আয়নিক বা ভারী ধাতু অপসারণ করা।

প্রথম পদ্ধতিটি একটি H2 S04 এবং শক্তিশালী অক্সিডেন্ট [সাধারণত H2 O2] ব্যবহার করে প্রতিরোধকে CO2 এবং H2O তে আলাদা করে দেয়।

দ্বিতীয় পদ্ধতি অক্সিজেন প্লাজমা ব্যবহার করে প্রতিরোধকে গ্যাসীয় উপ-পণ্য [আবার CO2 এবং H2O] রূপান্তর করে। এটি ব্যাকএন্ড প্রক্রিয়ায় ফটোরিসিস্ট অপসারণে ব্যবহৃত দূষণের সমস্যা কমায়।

ওয়েফার ক্লিয়ারিং করা হয় সাধারনত ক্লিনিং বাথ এ বাফার ক্যাসেট ডুবিয়ে বা রাসায়নিক স্প্রে ব্যবহার করে।

ধাতু অপসারণের জন্য ব্যবহৃত হয় স্ট্যান্ডার্ড ক্লিনিং ১ (SC -1) এবং স্ট্যান্ডার্ড ক্লিনিং ২ (SC – 2)।

SC -1 দ্রবণ হল উচ্চ PH এর দ্রবণ যার মধ্যে রয়েছে জল, হাইড্রোজেন পারক্সাইড এবং NH4OH , যার মধ্যে ওয়েফার 70-80 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেডে 10 মিনিটের জন্য রাখা হয়। তারপর দ্রবণটি অপসারণের জন্য ডিআয়ওনাইজড (DI) জলের মধ্যে ধুয়ে ফেলা হয়।

এই প্রক্রিয়ায়, এটি সিলিকনকে অক্সিডাইজ করে এবং ওয়েফারের পৃষ্ঠে একটি পাতলা অক্সাইড রেখে দেয়, যা বিশুদ্ধ সিলিকনের প্রয়োজন হলে অপসারণ করতে হয়।

SC -2 দ্রবণ হল একটি নিম্ন -পিএইচ দ্রবণ যা জল, হাইড্রোজেন পারক্সাইড (H2O2), এবং HCL নিয়ে গঠিত।

এটি সিলিকন পৃষ্ঠ থেকে ক্ষার অবশিষ্টাংশ দ্রবীভূত এবং অপসারণের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে এছাড়াও এটি ধাতু [যেমন Au এবং Ag] এবং ধাতব হাইড্রক্সাইড  অপসারণ করে।

RCA cleaning process

Read: Czochralski method for crystal growth

Check Also

Explain body effects in MOS transistor

Explain body effects in MOS transistor?

Explain body effects in MOS transistor?   body effects in MOS transistor Normally, we considered …