Saturday , October 23 2021

What is epitaxial growth and epitaxy ?

What is epitaxial growth and epitaxy?

 

Epitaxy is the ordered growth of a monocrystalline layer that bears a definite relation to the underlying monocrystalline substrate.

A process of depositing a thin layer (0.5 to 20 pm) of single-crystal material over a single crystal substrate, usually through chemical vapor deposition (CVD).

 

Epitaxial growth

The technique of growing an oriented single crystal layer on a substrate wafer is called epitaxial growth or Epitaxy. Epitaxy is performed at a temperature considerably below the melting of the substrate crystal.

what is epitaxial growth

Epitaxial growth systems can be divided into two broad categories:

Homoepitaxy: the grown layer is chemically similar to the substrate (p-Si on Si)

Heteroepitaxy: the grown layer differs in terms of chemistry, crystal structure, symmetry, and/ or lattice parameter from the substrate (AlGaAs on GaAs; GaN on SiC)

What is epitaxial growth

এপিট্যাক্সি হল একটি মনোক্রিস্টালাইন স্তরের ক্রমবর্ধমান বৃদ্ধি যা অন্তর্নিহিত মনোক্রিস্টালাইন স্তরের সাথে একটি নির্দিষ্ট সম্পর্ক বহন করে।

সাধারণত কেমিক্যাল ভ্যাপর ডিপোজিশন(CVD )এর মাধ্যমে একটি একক স্ফটিক সাবস্ট্রেটের উপর একক-স্ফটিক পদার্থের একটি পাতলা স্তর (0.5 থেকে 20pm) জমা করার প্রক্রিয়া।

 

এপিট্যাক্সিয়াল গ্রোথ

সাবস্ট্রেট ওয়েফারে একটি ওরিয়েন্টেড একক স্ফটিক স্তর বাড়ানোর কৌশলকে এপিটেক্সিয়াল গ্রোথ বা এপিট্যাক্সি বলা হয়। এপিট্যাক্সি সাবস্ট্রেট স্ফটিকের গলনাঙ্কের থেকেও কম তাপমাত্রায় সঞ্চালিত হয়।

এপিট্যাক্সিয়াল গ্রোথ সিস্টেমকে দুটি বিস্তৃত শ্রেণীতে ভাগ করা যায়:

হোমোএপিট্যাক্সি: বড় হওয়া স্তরটি রাসায়নিকভাবে সাবস্ট্রেটের অনুরূপ (p-Si on Si)

হেটরোএপিট্যাক্সি: বড় হওয়া স্তরটি রসায়ন, স্ফটিক কাঠামো, প্রতিসাম্য, এবং/ অথবা lattice প্যারামিটারের পরিপ্রেক্ষিতে আলাদা (GaAs- এ AlGaAs; SiC- এ GaN)

 

Read: Advantages and disadvantages of epitaxy

Check Also

Explain body effects in MOS transistor

Explain body effects in MOS transistor?

Explain body effects in MOS transistor?   body effects in MOS transistor Normally, we considered …