Monday , October 11 2021

Why wet oxidation rate higher than dry oxidation rate?

Why wet oxidation rate higher than dry oxidation rate?

 

Values of C* (Concentrations) for O2 and H2O species in SiO2 at 1000°C are 5.2 x 1016 and 3.0 x 1019  respectively. Again flux of oxidant is proportional to C*, which is almost three orders of magnitude greater for water than for oxygen. This is the reason for the faster growth rate of wet oxidation than that of dry oxidation.

Though wet oxidation has a faster growth rate but dry oxidation gives better electrical characteristics. The thermally grown oxide layer has excellent electrical insulation properties.

 

Why wet oxidation rate higher than dry oxidation rate?

শুষ্ক জারণ হারের চেয়ে ভেজা জারণের হার বেশি কেন?

 

1000° C তাপমাত্রায়  SiO2O2 এবং H2O এর ঘনত্ব C* এর মান যথাক্রমে  5.2 x 1016 এবং 3.0 x 1019 । আবার অক্সিড্যান্টের প্রবাহ ঘনত্ব C*এর সমানুপাতিক( অর্থাৎ যার ঘনত্ব বেশি তার মধ্য অক্সিড্যান্টের প্রবাহ বেশি হবে) যা অক্সিজেনের থেকে পানিতে প্রায় তিন গুন বেশি। সেই জন্য শুষ্ক জারণ হারের চেয়ে ভেজা জারণ হার দ্রুত বৃদ্ধি পায় ।সেই জন্য শুষ্ক জারণের চেয়ে ভেজা জারণে অক্সিডেশন হার দ্রুত বৃদ্ধি পায়।

যদিও ভেজা জারণের দ্রুত বৃদ্ধির হার রয়েছে তবে শুষ্ক জারণ আরও ভাল বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য দেয়। তাপীয়ভাবে গড়ে ওঠা অক্সাইড স্তরের চমৎকার বৈদ্যুতিক ইন্সুলেশন বৈশিষ্ট্য রয়েছে।

Check Also

Explain body effects in MOS transistor

Explain body effects in MOS transistor?

Explain body effects in MOS transistor?   body effects in MOS transistor Normally, we considered …